イオン注入

半導体デバイスの製造工程では、不純物原子を精密に導入するためにイオン注入が不可欠な技術である。

シリコンウェハに対するイオン注入は、トランジスタの特性を決定づける重要なプロセスだ。

新素材開発において、イオン注入によって材料表面の耐摩耗性が大幅に向上した事例が報告されている。

高エネルギーのイオン注入は、より深い位置に不純物をドープすることを可能にする。